Samsung、3nmプロセスでの半導体量産開始 TSMCに先行韓国Samsung Electronicsは6月30日（現地時間）、3nm（ナノメートル）プロセスによる半導体の量産を開始したと発表した。世界最大のファウンドリ、台湾TSMCに先行した。 第1世代の3nmプロセスは、同社の5nmプロセスと比較して、消費電力を最大45％削減し、性能を23％向上させ、面積は16％削減できるとしている。第2世代では、消費電力は最大50％削減、性能は30％向上、面積は35％削減。 第1世代は高性能で低電力のPC向けで、モバイルプロセッサへの適用は今後拡大していく計画だ。 TSMCは16日、3nmプロセスによる半導体量産を2022年後半に開始すると発表している。 関連記事 AppleのM2チップはTSMCの4nmプロセスで製造？ Apple Siliconのサイクルは1年半周期か IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電
