JVMはそんなに重くない | POSTD
Clojureに反対する大きな理由がJVMです。この役立たずは重いですからね。 これは、数週間前に ZA Tech のSlackで見た投稿です。休暇中にClojureの話題を何件か見たのですが、投稿者はJVMについても繰り返し言及していました。 私はこの投稿について Slack上で少しつぶやいていました が、もっと広く理解され議論されるように、本稿を書くことを決めました。 背景 以前は、私もJVMは重いと思っていました。2000年代の初めにJVMとPHPと比べていた頃の話です。当時は、.NETやColdFusionなど、別の重い製品が他にもありました。また、PerlやPythonという軽めの製品もありましたが、私はWindowsを使っていたのでActivePerlやActivePythonはやはり少し重めでした。 私が初めてJVMに対する“恐れ”を克服したのは、小規模な製品アプリを、JRu
スピン軌道トルク用いた第3の新方式、動作を実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、電気通信研究所の深見俊輔准教授らは、従来の2つの方式とは異なる新しいスピン軌道トルク磁化反転方式を開発し、その動作実証に成功したと発表した。今後の技術開発によって、低消費電力で高性能なメモリや集積回路の実現が期待される。 東北大学電気通信研究所の大野英男教授、電気通信研究所の深見俊輔准教授らは2016年3月22日、新しいスピン軌道トルク磁化反転方式＊）を開発し、その動作実証に成功したと発表した。スピン軌道トルク磁化反転は、原理的に従来のMRAM（磁気抵抗メモリ）よりも、約10倍速い1ナノ秒レベルでの磁気制御が可能である。 また、従来の2つのスピン軌道トルク磁化反転方式では書き込み電流と磁気の向きが直行していたのに対して、新方式はこれらの向きが平行になる。これにより、従来方式を上回る高速動作を低電流で実現できるという。今後、超高速消費電力集積回路を用いた
MRAM開発に新しい道？ 欧州が研究成果を発表
MRAMの開発を加速させる可能性がある新しい技術を、オランダの大学が発表した。スピンホール効果と交換バイアスを利用するもので、研究チームは、処理速度や記録密度、コストの面でMRAMが抱える課題を解決できると見込んでいる。 メモリ業界は、SRAMのような処理速度と、フラッシュメモリのような記録密度と、ROMのような低コストを兼ね備えた不揮発性メモリの開発を目指している。オランダのEindhoven University of Technology（TU／e：アイントホーフェン工科大学）の研究チームは、こうした課題をクリアする可能性のあるMRAMを発表した。このMRAMが実用化されれば、他のメモリを置き換える“万能な”メモリになると期待される。 MRAMメーカーは、処理速度と記録密度の向上およびコストの削減に取り組んでいるが、実現には3年以上かかると考えられていた。だが、TU／eの研究チームは
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ：マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応（1/4 ページ） 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3～4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。 産革機構も出資 システムLSIの設計が大きく変わるかもしれない。 不揮発性メモリIPを手掛ける新興企業 フローディアは、システムLSIの任意の位置に配置できる混載フラッシュメモリ技術「LEE Flash-G2」を開発した。2016年末にも同技術を用いた90nmプロセスによるシステムLSIの量産が始まる見込み。順次、55nmプロセスなどファウンドリ各社の微細プロセスへの対応を進め、LSI設計者にとって使いやすい不揮発性メモリとして幅広い普及を狙う。 プログラムやロ
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