清原 達郎 / インフレ時代になると預金金利や賃金の上昇分だけで、物価上昇分を補えない可能性が出てくる。そのギャップを埋め、今の生活水準を守るには、「株式投資」が有効手段の1つだ。 『週刊東洋経済』6月15日号 の第
"伝説の投資家"清原達郎氏が語る｢夏号は特別｣の理由｜会社四季報オンライン
清原 達郎 / インフレ時代になると預金金利や賃金の上昇分だけで、物価上昇分を補えない可能性が出てくる。そのギャップを埋め、今の生活水準を守るには、「株式投資」が有効手段の1つだ。 『週刊東洋経済』6月15日号 の第
本日の【上場来高値更新】 伊勢化、アシックスなど16銘柄 | 特集 - 株探ニュース
2024年06月07日20時10分 【特集】本日の【上場来高値更新】 伊勢化、アシックスなど16銘柄 本日の日経平均株価は、今晩に米雇用統計の発表を控え模様眺め気分が強くなり、前日比19円安の3万8683円と小幅に反落した。相場全体が軟調のなか、逆行高で上場来高値を更新した銘柄は16社だった。上場来高値を更新した銘柄は過去の売買による抵抗帯がなく、いわゆる“株価青天井”銘柄として注目される。 上場来高値を更新した主な銘柄は、3期連続で過去最高を見込む伊勢化学工業 <4107> [東証Ｓ]など。そのほか、アシックス <7936> [東証Ｐ]は7日連続で高値を更新した。 ※22年1月時点で株式を新規公開し、東証プライム、スタンダード、グロース市場に上場する銘柄を対象とした。 ■本日、上場来高値を更新した銘柄一覧 コード 銘柄名 市場 業種 <1968> 太平電 東Ｐ 建設業 <29
アシックス【7936】、1-3月期(1Q)経常は51％増益で着地、今期配当を実質増額修正 | 決算速報 - 株探ニュース
2024年05月10日15時00分 アシックス、1-3月期(1Q)経常は51％増益で着地、今期配当を実質増額修正 アシックス <7936> [東証Ｐ] が5月10日大引け後(15:00)に決算を発表。24年12月期第1四半期(1-3月)の連結経常利益は前年同期比50.9％増の330億円に拡大し、通期計画の530億円に対する進捗率は62.4％に達し、5年平均の53.2％も上回った。 同時に、6月30日割当の1→4の株式分割に伴い、年間配当を従来計画の70円→50円(株式分割前換算では80円)に修正した。年間配当は実質14.3％の増額となる。 直近3ヵ月の実績である1-3月期(1Q)の売上営業利益率は前年同期の14.5％→19.4％に大幅上昇した。 株探ニュース
四季報先取り「新興株50+50」｜会社四季報オンライン
東洋経済が選んだ期待の成長株「グロース500」から人気の高い100銘柄をピックアップ。四季報発売前に先行配信しています。
恵和【4251】、1-3月期(1Q)経常は7.8倍増益・上期計画を超過 | 決算速報 - 株探ニュース
恵和 <4251> [東証Ｐ] が5月14日大引け後(15:00)に決算を発表。24年12月期第1四半期(1-3月)の連結経常利益は前年同期比7.8倍の12.7億円に急拡大し、1-6月期(上期)計画の12.6億円に対する進捗率が100.7％とすでに上回り、さらに4年平均の42.3％も超えた。 直近3ヵ月の実績である1-3月期(1Q)の売上営業利益率は前年同期の5.2％→21.8％に急改善した。 株探ニュース
日本電子【6951】、今期経常は2％増で4期連続最高益更新へ・1-3月期(4Q)経常は2.5倍増益 | 決算速報 - 株探ニュース
2024年05月14日15時00分 日電子、今期経常は2％増で4期連続最高益更新へ・1-3月期(4Q)経常は2.5倍増益 日本電子 <6951> [東証Ｐ] が5月14日大引け後(15:00)に決算を発表。24年3月期の連結経常利益は前の期比27.8％増の300億円になり、従来予想の250億円を上回って着地。25年3月期も前期比1.6％増の305億円に伸びを見込み、4期連続で過去最高益を更新する見通しとなった。4期連続増収、増益になる。 同時に、前期の年間配当を74円→102円(前の期は66円)に増額し、今期は前期の記念配当を落とし、普通配当88円にする方針とした。 直近3ヵ月の実績である1-3月期(4Q)の連結経常利益は前年同期比2.5倍の158億円に急拡大し、売上営業利益率は前年同期の12.2％→21.2％に急上昇した。 株探ニュース
タムロン【7740】、上期経常を一転22％増益に上方修正・最高益更新へ | 決算速報 - 株探ニュース
タムロン <7740> [東証Ｐ] が4月26日大引け後(15:00)に決算を発表。24年12月期第1四半期(1-3月)の連結経常利益は前年同期比77.6％増の45.9億円に拡大した。 併せて、1-6月期(上期)の同利益を従来予想の62億円→84億円(前年同期は68.9億円)に35.5％上方修正し、一転して21.9％増益を見込み、3期連続で上期の過去最高益を更新する見通しとなった。 なお、通期の同利益を従来予想の143億円(前期は139億円)を据え置いた。 直近3ヵ月の実績である1-3月期(1Q)の売上営業利益率は前年同期の18.1％→22.9％に上昇した。 株探ニュース
【米国市況】国債利回り低下､円は一時154円55銭－米利下げ観測広がる
米連邦公開市場委員会（ＦＯＭＣ）を１週間後に控えてこの日発表された４月の米求人件数は、2021年以来の低水準となった。これを受けて米10年債利回りは低下し、４営業日での下げが30ベーシスポイント（ｂｐ、１ｂｐ＝0.01％）に近づいた。金利スワップ市場は11月の利下げ開始を織り込み、９月利下げの確率もこれまでより高くなった。
データ・センターが新技術を育てる？
最近、データ・センター向けのSSD（solid state drive）技術について取材しています。データ・センターのサーバーではマイクロプロセサとストレージ（HDD）の間に大きな性能ギャップがあり、これを埋める技術としてSSDが利用され始めました。特にサーバーのPCI Expressスロットに接続するタイプのSSD（PCIe SSD）は、サーバーの能力を飛躍的に向上させる技術として注目を集めています。 PCIe SSDの市場で先行する米Fusion-io社によると、同社の製品を導入したサイバーエージェントでは「アメーバピグ」サービスの運営に必要なサーバー台数を、それまでの96台から8台（実質は4台）に減らせたそうです。「PCIe SSDの導入から数年が経ち、現在はサーバーの負荷が3倍に増えたが、それでも十分に対応できている」（Fusion-io社）とのことでした。プロセサとストレージの性
半導体のゲームチェンジャーとなるか スピントロニクス、東北大CIESの挑戦（1） | 未来コトハジメ
DRAMとSRAMは、揮発性というデメリットはありますが、長年にわたって半導体産業の主役の座を占めてきたデバイスです。読み書きのスピードがそこそこ速くて大容量化できるDRAMはコンピューターのメインメモリーとして重要で、最も大量に作られている半導体製品です。SRAMは、DRAMより大容量化は難しいのですが超高速にできるため、CPUの一時記憶用のキャッシュメモリーとして使われています。 一方、MRAMは電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリーです。USBメモリーやSDカード、SSD（Solid State Drive）などに使われているNANDフラッシュと同じジャンルのデバイスになります。ただ、MRAMは読み書きがDRAM並みに速く、構造的に大容量化しやすい上に消費電力も低くできるため、ある意味、不揮発性メモリーでありながら、DRAMやSRAMのような使い方ができますので、新しい不揮発
磁性・スピントロニクス材料研究センター
自動車のパワステ、ワイパー、ハイブリッド自動車のモーター、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサー、医療用MRIやPCのハードディスクまでわたしたちの身の回りには、想像以上に多くの磁石が使用されています。ハードディスクの内部にはデスクを回転させるスピンドルモータ、ヘッドを高速で動かすアクチュエーター、大容量の磁気情報を蓄えるナノ粒子磁石、また磁気情報を読みだす磁気抵抗素子など、さまざまな磁性材料が使われています。NIMSの磁性材料研究は、強磁性材料の構造をミクロ・ナノ・原子レベルで制御して磁石の性能を向上させることにより、磁石を使うデバイスの小型化により電力消費を削減することを目指しています。磁性材料の高性能・高効率化は環境コスト低減に直結するからです。 磁石は外部からのエネルギーなしに磁場を発生できるので、発電機やモータなど電力⇔動力の変換に使われています。磁石を使わない誘導モータや誘導発電機は
東北大学、用途に合わせMTJ素子特性をカスタマイズ
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。 「高温でのデータ保持」や「データの高速書き込み」に対応 東北大学電気通信研究所の五十嵐純太学術研究員（当時）、同大学材料科学高等研究所（WPI-AIMR）の陣内佛霖助教（当時）、深見俊輔教授および、大野英男教授（現総長）らによる研究グループは2024年1月、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立したと発表した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持
STT-MRAMなどの低消費電力書き込み技術を開発
大阪大学と東京工業大学の共同研究グループは、スピントロニクス界面マルチフェロイク構造を開発し、これまでの2倍以上という性能指標（磁気電気結合係数）を達成した。電界印加による磁化方向の繰り返しスイッチングも実証した。 Co2FeSiとPMN-PTによる界面マルチフェロイク構造を作製 大阪大学と東京工業大学の共同研究グループは2022年5月、スピントロニクス界面マルチフェロイク構造を開発し、これまでの2倍以上という性能指標（磁気電気結合係数）を達成したと発表した。電界印加による磁化方向の繰り返しスイッチングも実証した。STT-MRAMなどにデータを書き込む時の消費電力を、従来の電流印加方式に比べ3桁も小さくできるとみている。 STT-MRAMなどのスピントロニクスメモリデバイスは、次世代の半導体不揮発メモリとして期待されている。ただ、磁気トンネル接合素子を記憶素子として用いるため、磁化方向を制
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https://data.swcms.net/file/jtp-ir/dam/jcr:70b2edbf-2e46-485b-b18c-70c9aa2d850d/140120240605521744.pdf
Wボトム形成し反発へ､｢OBD車検｣で注目の自動車関連株｜会社四季報オンライン
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