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ニュースリリース:2017年9月14日:日立
印刷される方はこちらをご覧ください(PDF形式、351kバイト) このニュースリリース記載の情報(製品価格... 印刷される方はこちらをご覧ください(PDF形式、351kバイト) このニュースリリース記載の情報(製品価格、製品仕様、サービスの内容、発売日、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更され、検索日と情報が異なる可能性もありますので、あらかじめご了承ください。なお、最新のお問い合わせ先は、お問い合わせ一覧をご覧下さい。 2017年9月14日 高温や放射線に強い炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS集積回路技術を開発 センサーと組合せ、過酷環境下におけるエッジコンピューティングの実現に貢献 SiC-CMOS製集積回路(オペアンプ)試作品の外観 株式会社日立製作所(執行役社長兼CEO:東原 敏昭/以下、日立)は、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS*1(SiC-CMOS)集積回路技術を開発しました。本技術により、自動車・産業機器を始め、原子力発電