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コスト9割減での縦型GaN実現へ、OKI／信越化の新技術
OKIは2023年9月5日、信越化学工業と共同で、低コストな縦型GaNパワーデバイス実現につながる新技術を開... OKIは2023年9月5日、信越化学工業と共同で、低コストな縦型GaNパワーデバイス実現につながる新技術を開発したと発表した。新技術を用いた縦型GaNパワーデバイスが実現すれば、既存技術と比較しコストを約10分の1に低減可能だという。 OKIは2023年9月5日、信越化学工業（以下、信越化学）と共同で、低コストな縦型GaN（窒化ガリウム）パワーデバイス実現につながる新技術を開発したと発表した。GaN成長専用の複合材料基板「QST基板」からGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術だ。新技術を用いた縦型GaNパワーデバイスが実現すれば、既存技術と比較しコストを約10分の1に低減可能だという。 縦型GaNの課題を解決 GaNはその特性から、高性能なパワー半導体材料として注目され近年、開発／市場導入が加速している。GaNパワーデバイスには、シリコンウエハー上にGaNを結晶成長させる「横
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