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次世代パワー半導体技術である銀粒子焼結接合の適用範囲が拡大 - 阪大
大阪大学(阪大)産業科学研究所は8月31日、菅沼克昭教授らの研究グループが、次世代パワー半導体接続技術... 大阪大学(阪大)産業科学研究所は8月31日、菅沼克昭教授らの研究グループが、次世代パワー半導体接続技術である銀粒子焼結接合において、低温・無加圧化に加え電極を選ばないダイアタッチを実現したと発表した。 同研究グループが開発した銀粒子焼結接合は、低コストでありながら、低温、低圧、大気中の条件でダイアタッチを可能にし、また250℃を超える耐熱で高信頼性を実現することから、次世代パワー半導体ダイアタッチとして普及が始まっている。 その接続メカニズムはナノレベルで解明されており、200℃程度で大気中の酸素と反応しながらAg-O液体噴火することで金属焼結が進むことが示されている。しかし、これは銀のみで生じる現象で、他の金属では金でも銅でも不可能である。このため従来電極に多用されるニッケルや銅への接合は高圧を掛けなければならないという課題があった。 そこで今回、銀の界面形成を活性化する溶剤の開発を進め
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